IBM ir Siemens bendradarbiauja tobulinant naujos kartos lustų nanostack tranzistorių technologiją

Vaizdas: Illustrative image · Mark Hillary · CC BY 2.0 · Šaltinis

IBM ir Siemens bendradarbiauja projektuojant, modeliuojant ir gamybos tyrimuose, siekdami skleisti IBM 3D nanostack tranzistorių architektūrą už 7 angstromų mazgo, gerindami našumą ir energijos efektyvumą būsimuose puslaidininkių lusteose.

2026 m. spalio 14 d. IBM paskelbė apie tyrimų bendradarbiavimą su Siemens, orientuotą į IBM nanostack architektūros pažangą – naują tranzistorių dizainą, pristatytą šių metų pradžioje. Nanostack yra pirmasis puslaidininkių pramonėje žinomas trimatės nanosluoksnių pagrindu suprojektuotas tranzistorius, vertikaliai sluoksniuojantis ir išdėstantis tranzistorius, leidžiantis sutalpinti beveik 100 milijardų tranzistorių nagų dydžio luste esant 7 angstromų mazgui. Ši architektūra leidžia atskirai optimizuoti tranzistorių sluoksnius naudojant skirtingas medžiagų kombinacijas, žymiai gerinant energetinį efektyvumą, našumą ir SRAM mastelį.

Nors IBM pirmą kartą rodė nanostack technologijos gyvybingumą 2026 m. pradžioje, tolesnės inovacijos būtinos, kad technologija būtų parengta didelio masto gamybai ir produkcijai. Partnerystė sujungia IBM puslaidininkių prietaisų ekspertizę su Siemens stiprybėmis elektroninės dizaino automatizacijos (EDA), proceso modeliavimo, litografijos optimizavimo ir pažangios gamybos programinės įrangos srityse.

Svarbus bendradarbiavimo tikslas yra kurti pažangius virtualius modeliavimus ir simuliavimo įrankius, skirtus optimizuoti nanostack dizainus ir numatyti gamybos iššūkius prieš fizinę mikroschemų gamybą. Šis bendras optimizavimo metodas siekia spręsti augančią fizinę ir dizaino sudėtingumą, kylantį plečiant tranzistorius angstromų eroje. IBM Silicio technologijų tyrimų ir plėtros viceprezidentas Huiming Bu apibūdino nanostack kaip mastelį keičiančią platformą, kuri perkelia prietaiso mastelį nuo dvimatės prie trimatės, suteikiančią svarbų kelią palaikyti dirbtinį intelektą ir naujas technologijas per ateinančius dešimtmečius.

Siemens EDA IC portfelio vykdomasis viceprezidentas Ankur Gupta pabrėžė griežto integravimo poreikį tarp prietaiso fizikos, dizaino programinės įrangos ir gamybos procesų šiuo laikotarpiu. Jis pavadino IBM 3D nanostack „pivotal leap forward“ puslaidininkių skalavimo srityje, išryškindamas jų bendrų pastangų svarbą spartinant technologijų ciklus ir gamybos pasirengimą.

Ši aljansas žymi koordinuotą pastangą įveikti pagrindinius ateities puslaidininkių mastelėjimo iššūkius, sujungiant IBM inovacijas tranzistorių architektūroje su Siemens galimybėmis virtualaus dizaino ir gamybos sprendimų technologijose. Bendradarbiavimas siekia išplėsti nanostack technologiją už dabartinio 7 angstromų mazgo ribų, atverdamas kelius būsimoms mikroschemų kartoms, galinčioms patenkinti augančius našumo ir efektyvumo reikalavimus dirbtinio intelekto, telekomunikacijų ir kitų pažangių taikymų srityse.