IBM ja Siemens teevad koostööd nanostack-transistori tehnoloogia arendamiseks järgmise põlvkonna kiipide jaoks

Pilt: Illustrative image · Mark Hillary · CC BY 2.0 · Allikas

IBM ja Siemens teevad koostööd disaini, simulatsiooni ja tootmisuuringute vallas, et skaleerida IBM 3D nanostack-transistori arhitektuuri üle 7 angstremi sõlme, eesmärgiga parandada tulevaste pooljuhtkiipide jõudlust ja energiakasutust.

2026. aasta 14. oktoobril teatas IBM uuringukoostööst Siemensiga, mis keskendub IBM nanostack-arhitektuuri arendamisele – uuenduslikule transistoridisainile, mis tutvustati selle aasta alguses. Nanostack on pooljuhtide tööstuse esimene teadaolev kolmemõõtmeline nanoslekkidepõhine transistoridisain, mis paigutab transistorid vertikaalselt virnaz ja nihutab neid, võimaldades mahutada vaid sõrmelauasuurusele kiibile ligi 100 miljardit transistorit 7 angstremi sõlmel. See arhitektuur võimaldab transistorikihtide individuaalset optimeerimist erinevate materjalikombinatsioonidega, oluliselt parandades energiaefektiivsust, jõudlust ja SRAM-i skaleeritavust.

Kuigi IBM demonstreeris nanostacki teostatavust 2026. aasta alguses, on edasine innovatsioon vajalik tehnoloogia valmis tegemiseks suuremahuliseks tootmiseks. Partnerlus ühendab IBM pooljuhtseadmete ekspertiisi Siemensiga, kelle tugevused on elektroonikadisaini automatiseerimises (EDA), protsessisimulatsioonis, litograafia optimeerimises ja arenenud tootmistarkvaras.

Koostöö keskseks eesmärgiks on arendada täiustatud virtuaalse modelleerimise ja simulatsiooni tööriistu nanostack-disainide optimeerimiseks ning tootmisprobleemide ette nägemiseks enne füüsilise kiibi valmistamist. See koosoptimeerimise lähenemine püüab lahendada transistorite skaleerimisel angstreemi ajastusse tekkivaid kasvavaid füüsikalisi ja disainikompleksuseid. IBM pooljuhttehnoloogia arenduse asepresident Huiming Bu kirjeldas nanostacki kui skaleeritavat platvormi, mis viib seadmete skaleerimise kaheksamõõtmeliselt kolmemõõtmeliseks ning pakub olulist teed AI ja uute tehnoloogiate toetamiseks järgmise kümnendi jooksul.

Siemensi EDA IC-portfelli tegevdirektor Ankur Gupta rõhutas tihedalt integreeritud seadmefüüsika, disainitarkvara ja tootmisprotsesside vajadust selles ajastus. Ta nimetas IBM 3D nanostacki „murranguliseks edasiminekuks“ pooljuhtide skaleerimises ning tõstis esile nende ühisettevõtmise tähtsust tehnoloogiatsüklite kiirendamisel ja tootmise valmisoleku saavutamisel.

See liit annab märku ühest sihikindlast püüdlusest ületada järgmise põlvkonna pooljuhtide skaleerimise oluline takistusi, kombineerides IBM transistoriarhitektuuri uuendusi Siemensiga, kelle võimed on virtuaalse disaini ja tootmislahenduste tehnoloogiates. Koostöö eesmärk on laiendada nanostack-tehnoloogiat kaugemale 7 angstremi sõlmest, avades teid tulevastele kiipide põlvkondadele, mis suudavad vastata kasvavatele jõudlus- ja efektiivsusnõudmistele AI, telekommunikatsiooni ja teiste tipprakenduste vallas.