IBM och Siemens samarbetar för att utveckla Nanostack-transistorteknik för nästa generations chip

Bild: Illustrative image · Mark Hillary · CC BY 2.0 · Källa

IBM och Siemens samarbetar inom design, simulering och tillverkningsforskning för att skala upp IBMs 3D nanostack-transistorrikitektur bortom 7 angstrom-noden, med målet att förbättra prestanda och energieffektivitet i framtidens halvledarchip.

Den 14 oktober 2026 meddelade IBM ett forskningssamarbete med Siemens med fokus på att utveckla IBMs nanostack-arkitektur, en ny transistor-design som introducerades tidigare i år. Nanostack representerar halvledarindustrins första kända tredimensionella nanosheet-baserade transistorstruktur, där transistorer staplas vertikalt och förskjuts för att pressa in nästan 100 miljarder transistorer på en nagelstor chip vid 7 angstrom-noden. Denna arkitektur möjliggör individuell optimering av transistorlagren med olika materialkombinationer, vilket avsevärt förbättrar energieffektivitet, prestanda och SRAM-skalning.

Även om IBM visade nanostacks genomförbarhet tidigare 2026 krävs ytterligare innovationer för att göra teknologin redo för storskalig tillverkning och produktion. Partnerskapet utnyttjar IBMs expertis inom halvledarenheter tillsammans med Siemens styrkor inom elektronisk designautomation (EDA), processimulering, litografiska optimeringar och avancerad tillverkningsprogramvara.

Ett huvudfokus i samarbetet är att utveckla avancerade virtuella modellerings- och simuleringsverktyg för att optimera nanostack-design och förutse tillverkningsutmaningar innan fysiska chip produceras. Denna samoptimeringsmetod syftar till att hantera den ökande fysiska och designmässiga komplexiteten som uppstår när transistorer skalas in i angstrom-eran. IBMs vice president för Silicon Technology R&D, Huiming Bu, beskrev nanostack som en skalbar plattform som förflyttar enhetskalning från tvådimensionell till tredimensionell, vilket ger en kritisk väg framåt för att stödja AI och ny teknik under det kommande decenniet.

Siemens Executive Vice President för EDA IC Portfolio, Ankur Gupta, betonade behovet av tätt integrerad enhetsfysik, designprogramvara och tillverkningsprocesser i denna era. Han kallade IBMs 3D nanostack för ett "genombrottssteg" för halvledarskalning och underströk vikten av deras gemensamma insatser för att snabba på teknikcykler och produktionsberedskap.

Detta samarbete signalerar en samlad satsning för att övervinna kritiska utmaningar vid nästa generations halvledarskalning genom att kombinera IBMs innovation inom transistorarkitektur med Siemens kapacitet inom virtuell design och tillverkningslösningsteknologi. Målet med samarbetet är att förlänga nanostack-teknologin bortom den nuvarande 7 angstrom-noden och öppna dörrar för framtida chipgenerationer som kan möta ökande krav på prestanda och effektivitet inom AI, telekommunikation och andra avancerade applikationer.