IBM un Siemens sadarbojas, lai attīstītu Nanostack tranzistoru tehnoloģiju nākamās paaudzes čipiem

Attēls: Illustrative image · Mark Hillary · CC BY 2.0 · Avots

IBM un Siemens sadarbojas dizaina, simulācijas un ražošanas pētījumos, lai paplašinātu IBM 3D nanostack tranzistora arhitektūru pāri 7 angstremu mezglam, cenšoties uzlabot veiktspēju un energoefektivitāti nākotnes pusvadītāju čipos.

2026. gada 14. oktobrī IBM paziņoja par pētniecības sadarbību ar Siemens, kas vērsta uz IBM nanostack arhitektūras attīstīšanu – jaunu tranzistora dizainu, kas ieviests šī gada sākumā. Nanostack pārstāv pirmo zināmo trīsdimensionālo nanoslāņu bāzētu tranzistora dizainu pusvadītāju nozarē, vertikāli sakārtojot un nobīdot tranzistorus, lai saliktu aptuveni 100 miljardus tranzistoru uz nagu izmēra čipa 7 angstremu mezglā. Šī arhitektūra ļauj individuāli optimizēt tranzistora slāņus, izmantojot dažādas materiālu kombinācijas, būtiski paaugstinot energoefektivitāti, veiktspēju un SRAM mērogojamību.

Lai gan IBM jau 2026. gada sākumā demonstrēja nanostack dzīvotspēju, nepieciešama papildu inovācija, lai tehnoloģiju sagatavotu plaša mēroga ražošanai. Sadarbība apvieno IBM pusvadītāju ierīču ekspertīzi ar Siemens stiprajām pusēm elektroniskās projektēšanas automatizācijā (EDA), procesu simulācijā, litogrāfijas optimizācijā un modernā ražošanas programmatūrā.

Galvenā sadarbības uzmanība ir vērsta uz progresīvu virtuālo modelēšanas un simulācijas rīku izstrādi, lai optimizētu nanostack dizainu un paredzētu ražošanas izaicinājumus pirms fiziskas mikroshēmas ražošanas. Šī kopējās optimizācijas pieeja cenšas risināt pieaugošo fizisko un dizaina sarežģītību, kas rodas, tranzistorus mērogojot angstremu laikmetā. IBM Silīcija tehnoloģiju pētniecības un attīstības viceprezidents Huiming Bu raksturoja nanostack kā mērogojamu platformu, kas pārvieto ierīču mērogošanu no divdimensiju uz trīsdimensiju, nodrošinot būtisku ceļu mākslīgā intelekta un jaunās tehnoloģijās nākamajos desmit gados.

Siemens EDA IC portfeļa izpilddirektors Ankur Gupta uzsvēra cieši integrētu ierīču fizikas, projektēšanas programmatūras un ražošanas procesu nepieciešamību šajā laikmetā. Viņš nodēvēja IBM 3D nanostack par „izšķirošu lēcienu uz priekšu“ pusvadītāju mērogošanā, uzsverot abu uzņēmumu kopīgā darba nozīmi tehnoloģiju ciklu paātrināšanā un gatavības ražošanai uzlabošanā.

Šī aliansē liecina par apzinātu centienu pārvarēt nākamās paaudzes pusvadītāju mērogošanas galvenos izaicinājumus, apvienojot IBM inovācijas tranzistora arhitektūrā ar Siemens spējām virtuālajā projektēšanā un ražošanas risinājumu tehnoloģijās. Sadarbība mērķē paplašināt nanostack tehnoloģiju pāri esošajam 7 angstremu mezglam, atverot ceļu nākamās paaudzes mikroshēmām, kas spēj apmierināt pieaugošās veiktspējas un efektivitātes prasības mākslīgā intelekta, telekomunikāciju un citās progresīvās lietojumprogrammās.