IBM y Siemens se asocian para avanzar en la tecnología de transistores Nanostack para chips de próxima generación

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IBM y Siemens colaboran en investigación de diseño, simulación y fabricación para escalar la arquitectura de transistores 3D Nanostack de IBM más allá del nodo de 7 angstroms, buscando aumentar el rendimiento y la eficiencia energética en futuros chips semiconductores.

El 14 de octubre de 2026, IBM anunció una colaboración de investigación con Siemens centrada en avanzar la arquitectura Nanostack de IBM, un diseño novedoso de transistor presentado a principios de este año. Nanostack representa el primer diseño conocido en la industria de semiconductores basado en nanosheets tridimensionales, apilando y desplazando verticalmente transistores para integrar cerca de 100 mil millones de transistores dentro de un chip del tamaño de una uña en el nodo de 7 angstroms. Esta arquitectura permite la optimización individual de capas de transistores usando diferentes combinaciones de materiales, mejorando significativamente la eficiencia energética, el rendimiento y la escalabilidad de SRAM.

Aunque IBM demostró la viabilidad de Nanostack a principios de 2026, se requiere mayor innovación para preparar la tecnología para la fabricación y producción a gran escala. La asociación combina la experiencia de IBM en dispositivos semiconductores con las fortalezas de Siemens en automatización de diseño electrónico (EDA), simulación de procesos, optimización de litografía y software avanzado de fabricación.

Un enfoque clave de la colaboración es desarrollar herramientas avanzadas de modelado virtual y simulación para optimizar diseños Nanostack y anticipar desafíos de fabricación antes de la producción física de chips. Este enfoque de co-optimización apunta a abordar la creciente complejidad física y de diseño que surge al escalar transistores hacia la era del angstrom. Huiming Bu, vicepresidente de I+D en Tecnología de Silicio de IBM, describió Nanostack como una plataforma escalable que cambia la escala de dispositivo de dos dimensiones a tres dimensiones, ofreciendo un camino crítico para apoyar la IA y tecnologías emergentes durante la próxima década.

Ankur Gupta, vicepresidente ejecutivo del portafolio EDA IC de Siemens, enfatizó la necesidad de integrar estrechamente la física de dispositivos, el software de diseño y los procesos de fabricación en esta era. Llamó al Nanostack 3D de IBM un "avance fundamental" para la escalabilidad semiconductor, destacando la importancia de sus esfuerzos conjuntos para acelerar los ciclos tecnológicos y la preparación para producción.

Esta alianza señala un impulso conjunto para superar desafíos críticos en la escalabilidad de semiconductores de próxima generación al combinar la innovación de IBM en arquitectura de transistores con las capacidades de Siemens en tecnologías de diseño virtual y soluciones de fabricación. La colaboración busca extender la tecnología Nanostack más allá del nodo actual de 7 angstroms, abriendo caminos para futuras generaciones de chips capaces de satisfacer las crecientes demandas de rendimiento y eficiencia en IA, telecomunicaciones y otras aplicaciones avanzadas.