IBM og Siemens samarbeider om å utvikle Nanostack-transistorteknologi for neste generasjons brikker

Bilde: Illustrative image · Mark Hillary · CC BY 2.0 · Kilde

IBM og Siemens samarbeider om design, simulering og produksjonsforskning for å skalere IBMs 3D nanostack-transistorarkitektur utover 7 angstrom-noden, med mål om å øke ytelse og energieffektivitet i fremtidige halvlederbrikker.

Den 14. oktober 2026 kunngjorde IBM et forskningssamarbeid med Siemens med fokus på å videreutvikle IBMs nanostack-arkitektur, en ny transistorutforming som ble introdusert tidligere i år. Nanostack representerer halvlederindustriens første kjente tredimensjonale nanosheet-baserte transistor, hvor transistorene stables vertikalt og forskyves for å pakke nesten 100 milliarder transistorer i en neglestoret brikke ved 7 angstrom-noden. Denne arkitekturen gjør det mulig å individuelt optimalisere transistorlagene med ulike materialkombinasjoner, noe som betydelig forbedrer energieffektivitet, ytelse og SRAM-skala.

Selv om IBM demonstrerte nanostacks levedyktighet tidligere i 2026, kreves ytterligere innovasjon for å gjøre teknologien klar for storskala produksjon og masseproduksjon. Partnerskapet kombinerer IBMs ekspertise innen halvlederkomponenter med Siemens' styrker innen elektronisk designautomatisering (EDA), proses-simulering, litografisk optimalisering og avansert produksjonsprogramvare.

Et hovedfokus i samarbeidet er å utvikle avanserte virtuelle modellerings- og simuleringsverktøy for å optimalisere nanostack-design og forutsi produksjonsutfordringer før fysiske brikker fremstilles. Denne samskapte optimaliseringsmetoden tar sikte på å løse den økende fysiske og designmessige kompleksiteten som oppstår når transistorer skaleres inn i angstrom-æraen. IBMs visepresident for Silicon Technology R&D, Huiming Bu, beskrev nanostack som en skalerbar plattform som flytter enhetsskala fra todimensjonalt til tredimensjonalt, og gir en kritisk vei for å støtte AI og nye teknologier i det kommende tiåret.

Siemens' Executive Vice President for EDA IC Portfolio, Ankur Gupta, understreket behovet for tett integrasjon av enhetsfysikk, designprogramvare og produksjonsprosesser i denne tiden. Han kalte IBMs 3D nanostack et "avgjørende sprang fremover" for halvleder-skalering, og fremhevet viktigheten av deres felles innsats for å akselerere teknologisykluser og produksjonsklarhet.

Dette samarbeidet signaliserer en samordnet innsats for å overvinne kritiske utfordringer i neste generasjons halvlederskalering ved å kombinere IBMs innovasjon innen transistorarkitektur med Siemens' kapasiteter innen virtuell design og produksjonsløsnings-teknologier. Målet er å utvide nanostack-teknologien utover dagens 7 angstrom-node, og åpne muligheter for fremtidige brikkegenerasjoner som kan møte økende krav til ytelse og effektivitet innen AI, telekommunikasjon og andre avanserte bruksområder.