IBM i Siemens współpracują nad rozwojem technologii tranzystorów Nanostack dla chipów nowej generacji

Image: Illustrative image · Mark Hillary · CC BY 2.0 · Source

IBM i Siemens współpracują w zakresie projektowania, symulacji i badań produkcyjnych, aby rozszerzyć architekturę tranzystora 3D nanostack IBM poza węzeł 7 angstremów, dążąc do zwiększenia wydajności i efektywności energetycznej przyszłych układów półprzewodnikowych.

14 października 2026 roku IBM ogłosiło współpracę badawczą z firmą Siemens, skoncentrowaną na rozwoju architektury nanostack IBM, innowacyjnego projektu tranzystora przedstawionego wcześniej w tym roku. Nanostack to pierwsza znana w branży półprzewodnikowej trójwymiarowa architektura tranzystora oparta na nanosheetach, które są ustawione pionowo i przesunięte względem siebie, co pozwala zmieścić niemal 100 miliardów tranzystorów na układzie wielkości paznokcia przy węźle 7 angstremów. Ta architektura umożliwia indywidualną optymalizację warstw tranzystora z zastosowaniem różnych kombinacji materiałów, co znacząco poprawia efektywność energetyczną, wydajność oraz skalowalność pamięci SRAM.

Chociaż IBM zaprezentowało wykonalność nanostack na początku 2026 roku, nadal potrzebne są dalsze innowacje, aby przygotować technologię do produkcji na dużą skalę. Partnerstwo wykorzystuje doświadczenie IBM w dziedzinie urządzeń półprzewodnikowych oraz mocne strony Siemens w automatyzacji projektowania elektronicznego (EDA), symulacji procesów, optymalizacji litografii i zaawansowanym oprogramowaniu produkcyjnym.

Kluczowym obszarem współpracy jest rozwój zaawansowanych narzędzi do wirtualnego modelowania i symulacji, które mają zoptymalizować projekty nanostack i przewidzieć wyzwania produkcyjne przed faktycznym wytwarzaniem chipów. Podejście to ma na celu poradzenie sobie z rosnącą złożonością fizyczną i projektową pojawiającą się przy skalowaniu tranzystorów w erze angstremów. Wiceprezes IBM ds. badań rozwoju technologii krzemowej, Huiming Bu, opisał nanostack jako skalowalną platformę, która przesuwa skalowanie urządzeń z dwuwymiarowego na trójwymiarowe, stanowiąc kluczową ścieżkę do wsparcia sztucznej inteligencji i nowych technologii w nadchodzącej dekadzie.

Ankur Gupta, wiceprezes wykonawczy Siemens ds. portfela EDA IC, podkreślił potrzebę ścisłej integracji fizyki urządzeń, oprogramowania projektowego i procesów produkcyjnych w tej erze. Określił 3D nanostack IBM jako „przełomowy krok naprzód” w skalowaniu półprzewodników, zwracając uwagę na znaczenie ich wspólnych działań przyspieszających cykle technologiczne i gotowość produkcyjną.

Sojusz ten sygnalizuje wspólne wysiłki mające na celu pokonanie kluczowych wyzwań związanych ze skalowaniem półprzewodników kolejnej generacji poprzez połączenie innowacji IBM w architekturze tranzystorów z możliwościami Siemens w zakresie wirtualnego projektowania i technologii rozwiązań produkcyjnych. Współpraca ma na celu rozwinięcie technologii nanostack poza obecny węzeł 7 angstremów, otwierając drogę dla przyszłych generacji chipów zdolnych sprostać rosnącym wymaganiom wydajności i efektywności w AI, telekomunikacji i innych zaawansowanych zastosowaniach.