IBM и Siemens сотрудничают для развития технологии транзисторов Nanostack для чипов следующего поколения

Image: Illustrative image · Mark Hillary · CC BY 2.0 · Source

IBM и Siemens совместно работают над проектированием, симуляцией и производственными исследованиями, чтобы масштабировать архитектуру 3D транзисторов nanostack IBM за пределы 7-ангстремового узла, с целью повышения производительности и энергоэффективности будущих полупроводниковых чипов.

14 октября 2026 года IBM объявила о научно-исследовательском сотрудничестве с компанией Siemens, направленном на развитие архитектуры nanostack IBM — нового дизайна транзистора, представленного ранее в этом году. Nanostack представляет собой первую в индустрии полупроводников трехмерную архитектуру транзистора на основе нанослоев, вертикально накладывающихся и смещённых друг относительно друга, позволяя упаковать почти 100 миллиардов транзисторов на чипе размером с ноготь при 7-ангстремовом узле. Эта архитектура обеспечивает индивидуальную оптимизацию слоев транзисторов с использованием разных комбинаций материалов, значительно улучшая энергоэффективность, производительность и масштабирование SRAM.

Хотя IBM продемонстрировала работоспособность nanostack ранее в 2026 году, требуются дальнейшие инновации для подготовки технологии к массовому производству. Партнёрство объединяет опыт IBM в области полупроводниковых устройств с возможностями Siemens в автоматизации проектирования электроники (EDA), симуляции процессов, оптимизации литографии и продвинутом программном обеспечении для производства.

Основной упор сотрудничества сделан на разработку передовых инструментов виртуального моделирования и симуляции, которые позволят оптимизировать проекты nanostack и предсказать технологические сложности до физического производства чипов. Этот подход со-оптимизации призван преодолеть растущую физическую и проектную сложность, возникающую при масштабировании транзисторов в ангстремной эпохе. Вице-президент IBM по НИОКР в области кремниевых технологий, Хуиминг Бу, охарактеризовал nanostack как масштабируемую платформу, которая переводит масштабирование устройств с двухмерного на трёхмерное, обеспечивая критически важный путь поддержки ИИ и новых технологий в ближайшее десятилетие.

Исполнительный вице-президент Siemens по портфелю EDA IC Анкур Гупта подчеркнул необходимость тесной интеграции физики устройств, программного обеспечения для проектирования и производственных процессов в эту эпоху. Он назвал 3D nanostack IBM «ключевым прорывом» в масштабировании полупроводников и выделил важность совместных усилий для ускорения технологических циклов и готовности к производству.

Этот альянс сигнализирует о сосредоточенных усилиях по преодолению ключевых проблем масштабирования полупроводников следующего поколения путём объединения инноваций IBM в архитектуре транзисторов с возможностями Siemens в области виртуального проектирования и решений для производства. Сотрудничество направлено на расширение технологии nanostack за пределы текущего 7-ангстремового узла, открывая возможности для будущих поколений чипов, способных удовлетворить растущие требования к производительности и эффективности в ИИ, телекоммуникациях и других передовых приложениях.